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NTE ELECTRONICS, INC. NTE180
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | NTE180 |
| Référence EBEE | E86721648 |
| Boîtier | TO-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 100V 200W [email protected],2V 30A PNP TO-3 Bipolar (BJT) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $21.8482 | $ 21.8482 |
| 200+ | $8.7177 | $ 1743.5400 |
| 500+ | $8.4266 | $ 4213.3000 |
| 1000+ | $8.2838 | $ 8283.8000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | NTE Electronics NTE180 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 30A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 200W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 1mA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 100V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | [email protected],2V | |
| Fréquence de transition (fT) | 2MHz | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 800mV@750mA,7.5A | |
| Type de transistor | PNP |
Guide d’achat
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $21.8482 | $ 21.8482 |
| 200+ | $8.7177 | $ 1743.5400 |
| 500+ | $8.4266 | $ 4213.3000 |
| 1000+ | $8.2838 | $ 8283.8000 |
