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NTE ELECTRONICS, INC. NTE159
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | NTE159 |
| Référence EBEE | E86622482 |
| Boîtier | TO-92 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 80V 625mW 50@10mA,10V 800mA PNP TO-92 Bipolar (BJT) ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $4.3851 | $ 4.3851 |
| 200+ | $1.7498 | $ 349.9600 |
| 500+ | $1.6906 | $ 845.3000 |
| 1000+ | $1.6627 | $ 1662.7000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | NTE Electronics NTE159 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 800mA | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 625mW | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 50nA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 80V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 50@10mA,10V | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 500mV@50mA,500mA | |
| Type de transistor | PNP |
Guide d’achat
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $4.3851 | $ 4.3851 |
| 200+ | $1.7498 | $ 349.9600 |
| 500+ | $1.6906 | $ 845.3000 |
| 1000+ | $1.6627 | $ 1662.7000 |
