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NTE ELECTRONICS, INC. NTE104
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | NTE104 |
| Référence EBEE | E86345514 |
| Boîtier | TO-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 35V 90W 50@20mA,2V 10A PNP TO-3 Bipolar (BJT) ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $64.7166 | $ 64.7166 |
| 200+ | $25.8236 | $ 5164.7200 |
| 500+ | $24.9591 | $ 12479.5500 |
| 1000+ | $24.5339 | $ 24533.9000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | NTE Electronics NTE104 | |
| RoHS | ||
| Courant du collecteur (Ic) | 10A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 90W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 1mA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 35V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 50@20mA,2V | |
| Fréquence de transition (fT) | 300kHz | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 290mV@400mA,4A | |
| Type de transistor | PNP |
Guide d’achat
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $64.7166 | $ 64.7166 |
| 200+ | $25.8236 | $ 5164.7200 |
| 500+ | $24.9591 | $ 12479.5500 |
| 1000+ | $24.5339 | $ 24533.9000 |
