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NTE ELECTRONICS, INC. NTE102
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | NTE102 |
| Référence EBEE | E86622474 |
| Boîtier | TO-5 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 24V 150mW 30@12mA,150mV 150mA PNP TO-5 Bipolar (BJT) ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $16.7434 | $ 16.7434 |
| 200+ | $6.6804 | $ 1336.0800 |
| 500+ | $6.4573 | $ 3228.6500 |
| 1000+ | $6.3474 | $ 6347.4000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | NTE Electronics NTE102 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+100℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 150mA | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 150mW | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 5uA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 24V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 30@12mA,150mV | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 200mV@1mA,24mA | |
| Type de transistor | PNP |
Guide d’achat
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $16.7434 | $ 16.7434 |
| 200+ | $6.6804 | $ 1336.0800 |
| 500+ | $6.4573 | $ 3228.6500 |
| 1000+ | $6.3474 | $ 6347.4000 |
