| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2N6728 |
| Référence EBEE | E86404436 |
| Boîtier | TO-237 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 60V 1W 80@50mA,1V 2A PNP TO-237 Bipolar (BJT) ROHS |
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $7.4890 | $ 7.4890 |
| 200+ | $2.9890 | $ 597.8000 |
| 500+ | $2.8897 | $ 1444.8500 |
| 1000+ | $2.8391 | $ 2839.1000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | NTE Electronics 2N6728 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+150℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 2A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 1W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 100nA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 60V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 80@50mA,1V | |
| Fréquence de transition (fT) | 500MHz | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 500mV@10mA,250mA | |
| Type de transistor | PNP |
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $7.4890 | $ 7.4890 |
| 200+ | $2.9890 | $ 597.8000 |
| 500+ | $2.8897 | $ 1444.8500 |
| 1000+ | $2.8391 | $ 2839.1000 |
