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Nexperia PMD2001D,115
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | PMD2001D,115 |
| Référence EBEE | E8179420 |
| Boîtier | SOT-457 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 40V 320mW 100@1mA,5V 600mA NPN+PNP SOT-457 Bipolar (BJT) ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1881 | $ 0.9405 |
| 50+ | $0.1483 | $ 7.4150 |
| 150+ | $0.1313 | $ 19.6950 |
| 500+ | $0.1100 | $ 55.0000 |
| 3000+ | $0.1005 | $ 301.5000 |
| 6000+ | $0.0948 | $ 568.8000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Special Purpose Transistors | |
| Fiche Technique | Nexperia PMD2001D,115 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+150℃ | |
| Type de transistor | NPN+PNP | |
| Courant du collecteur (Ic) | 600mA | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 320mW | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 10uA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 40V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 100@1mA,5V | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 150mV@200mA,20mA |
Guide d’achat
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| 50+ | $0.1483 | $ 7.4150 |
| 150+ | $0.1313 | $ 19.6950 |
| 500+ | $0.1100 | $ 55.0000 |
| 3000+ | $0.1005 | $ 301.5000 |
| 6000+ | $0.0948 | $ 568.8000 |
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