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MSKSEMI MURS120T3G-MS
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | MURS120T3G-MS |
| Référence EBEE | E819272828 |
| Boîtier | SMB |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 875mV@2A 35ns Independent Type 2A 200V SMB Fast Recovery / High Efficiency Diodes ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0274 | $ 0.5480 |
| 200+ | $0.0212 | $ 4.2400 |
| 600+ | $0.0178 | $ 10.6800 |
| 2500+ | $0.0158 | $ 39.5000 |
| 10000+ | $0.0140 | $ 140.0000 |
| 20000+ | $0.0131 | $ 262.0000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Diodes ,Fast Recovery / High Efficiency Diodes | |
| Fiche Technique | MSKSEMI MURS120T3G-MS | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 10uA@200V | |
| Diode Configuration | Independent | |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35ns | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.25V@1A | |
| Current - Rectified | 2A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 35A | |
| Operating Junction Temperature Range | -65℃~+150℃ |
Guide d’achat
Développer
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| 600+ | $0.0178 | $ 10.6800 |
| 2500+ | $0.0158 | $ 39.5000 |
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