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MSKSEMI MURA220T3G-MS
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | MURA220T3G-MS |
| Référence EBEE | E819272824 |
| Boîtier | SMA |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 950mV@2A 35ns Independent Type 2A 200V SMA Fast Recovery / High Efficiency Diodes ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0431 | $ 0.4310 |
| 100+ | $0.0375 | $ 3.7500 |
| 300+ | $0.0348 | $ 10.4400 |
| 2000+ | $0.0328 | $ 65.6000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Diodes ,Fast Recovery / High Efficiency Diodes | |
| Fiche Technique | MSKSEMI MURA220T3G-MS | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 5uA | |
| Diode Configuration | Independent | |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35ns | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 950mV@2A | |
| Current - Rectified | 2A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 35A | |
| Operating Junction Temperature Range | -65℃~+150℃ |
Guide d’achat
Développer
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| 300+ | $0.0348 | $ 10.4400 |
| 2000+ | $0.0328 | $ 65.6000 |
| 4000+ | $0.0311 | $ 124.4000 |
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