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MSKSEMI MMBT3906DFN
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | MMBT3906DFN |
| Référence EBEE | E822365396 |
| Boîtier | DFN1006-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | None |
| Description | 40V 200mA PNP DFN1006-3 Bipolar (BJT) ROHS |
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| 10000+ | $0.0103 | $ 103.0000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Bipolaire (BJT) | |
| Fiche Technique | MSKSEMI MMBT3906DFN | |
| RoHS | ||
| Type | PNP | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 40V | |
| Current - Collector(Ic) | 200mA | |
| Number | 1 PNP | |
| Pd - Power Dissipation | 200mW | |
| DC Current Gain | 300 | |
| Emitter-Base Voltage(Vebo) | 5V | |
| Current - Collector Cutoff | 100nA | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 300mV | |
| Transition frequency(fT) | 300MHz |
Guide d’achat
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