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Microchip Tech MNS2N3501P
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | MNS2N3501P |
| Référence EBEE | E83201284 |
| Boîtier | TO-39(TO-205AD) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 150V 1W 100@150mA,10V 300mA NPN TO-39(TO-205AD) Bipolar (BJT) ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $35.3979 | $ 35.3979 |
| 200+ | $13.6986 | $ 2739.7200 |
| 500+ | $13.2176 | $ 6608.8000 |
| 1000+ | $12.9799 | $ 12979.9000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | MICROCHIP MNS2N3501P | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 300mA | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 1W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 10uA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 150V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 100@150mA,10V | |
| Fréquence de transition (fT) | - | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 400mV@150mA,15mA | |
| Type de transistor | NPN |
Guide d’achat
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $35.3979 | $ 35.3979 |
| 200+ | $13.6986 | $ 2739.7200 |
| 500+ | $13.2176 | $ 6608.8000 |
| 1000+ | $12.9799 | $ 12979.9000 |
