| Fabricant | |
| Référence Fabricant | JANTXV2N2222AUB |
| Référence EBEE | E83202389 |
| Boîtier | SMD-3P |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 50V 500mW 100@150mA,10V 800mA NPN SMD-3P Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $10.8258 | $ 10.8258 |
| 10+ | $10.4816 | $ 104.8160 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Bipolaire (BJT) | |
| Fiche Technique | Microchip Tech JANTXV2N2222AUB | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 800mA | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 500mW | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 50nA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 50V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 100@150mA,10V | |
| Fréquence de transition (fT) | - | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 1V@500mA,50mA | |
| Type de transistor | NPN |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $10.8258 | $ 10.8258 |
| 10+ | $10.4816 | $ 104.8160 |
