| Fabricant | |
| Référence Fabricant | JANTX2N930 |
| Référence EBEE | E83200789 |
| Boîtier | TO-18(TO-206AA) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 45V 300mW 100@10uA,5V 30mA NPN TO-18(TO-206AA) Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $26.5258 | $ 26.5258 |
| 200+ | $10.2650 | $ 2053.0000 |
| 500+ | $9.9048 | $ 4952.4000 |
| 1000+ | $9.7274 | $ 9727.4000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | MICROCHIP JANTX2N930 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 30mA | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 300mW | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 2nA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 45V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 100@10uA,5V | |
| Fréquence de transition (fT) | - | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 1V@10mA,500uA | |
| Type de transistor | NPN |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $26.5258 | $ 26.5258 |
| 200+ | $10.2650 | $ 2053.0000 |
| 500+ | $9.9048 | $ 4952.4000 |
| 1000+ | $9.7274 | $ 9727.4000 |
