| Fabricant | |
| Référence Fabricant | JANTX2N5793A |
| Référence EBEE | E83201511 |
| Boîtier | TO-78-6 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 40V 600mW 40@150mA,10V 600mA NPN TO-78-6 Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $365.6437 | $ 365.6437 |
| 200+ | $141.4992 | $ 28299.8400 |
| 500+ | $136.5273 | $ 68263.6500 |
| 1000+ | $134.0698 | $ 134069.8000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Bipolar Transistor Arrays | |
| Fiche Technique | MICROCHIP JANTX2N5793A | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 600mA | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 600mW | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 10uA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 40V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 40@150mA,10V | |
| Fréquence de transition (fT) | - | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 900mV@300mA,30mA | |
| Type de transistor | NPN |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $365.6437 | $ 365.6437 |
| 200+ | $141.4992 | $ 28299.8400 |
| 500+ | $136.5273 | $ 68263.6500 |
| 1000+ | $134.0698 | $ 134069.8000 |
