| Fabricant | |
| Référence Fabricant | JANSR2N3501 |
| Référence EBEE | E83201208 |
| Boîtier | TO-39(TO-205AD) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 150V 500mW 100@150mA,10V NPN TO-39(TO-205AD) Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $345.2555 | $ 345.2555 |
| 200+ | $133.6101 | $ 26722.0200 |
| 500+ | $128.9133 | $ 64456.6500 |
| 1000+ | $126.5941 | $ 126594.1000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | MICROCHIP JANSR2N3501 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | - | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 500mW | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 2uA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 150V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 100@150mA,10V | |
| Fréquence de transition (fT) | - | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 400mV@150mA,15mA | |
| Type de transistor | NPN |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $345.2555 | $ 345.2555 |
| 200+ | $133.6101 | $ 26722.0200 |
| 500+ | $128.9133 | $ 64456.6500 |
| 1000+ | $126.5941 | $ 126594.1000 |
