| Fabricant | |
| Référence Fabricant | JANSF2N4449 |
| Référence EBEE | E83201330 |
| Boîtier | TO-46(TO-206AB) |
| Numéro Client | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 20V 360mW 20@100mA,1V NPN TO-46(TO-206AB) Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $392.1694 | $ 392.1694 |
| 200+ | $151.7642 | $ 30352.8400 |
| 500+ | $146.4321 | $ 73216.0500 |
| 1000+ | $143.7953 | $ 143795.3000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 360mW | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 400nA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 20V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 20@100mA,1V | |
| Fréquence de transition (fT) | - | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 450mV@100mA,10mA | |
| Type de transistor | NPN |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $392.1694 | $ 392.1694 |
| 200+ | $151.7642 | $ 30352.8400 |
| 500+ | $146.4321 | $ 73216.0500 |
| 1000+ | $143.7953 | $ 143795.3000 |
