| Fabricant | |
| Référence Fabricant | JANSF2N3700 |
| Référence EBEE | E83200804 |
| Boîtier | TO-18(TO-206AA) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 80V 500mW 100@150mA,10V 1A NPN TO-18(TO-206AA) Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $106.3143 | $ 106.3143 |
| 200+ | $41.1434 | $ 8228.6800 |
| 500+ | $39.6973 | $ 19848.6500 |
| 1000+ | $38.9822 | $ 38982.2000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | MICROCHIP JANSF2N3700 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 1A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 500mW | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 10nA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 80V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 100@150mA,10V | |
| Fréquence de transition (fT) | - | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 500mV@500mA,50mA | |
| Type de transistor | NPN |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $106.3143 | $ 106.3143 |
| 200+ | $41.1434 | $ 8228.6800 |
| 500+ | $39.6973 | $ 19848.6500 |
| 1000+ | $38.9822 | $ 38982.2000 |
