| Fabricant | |
| Référence Fabricant | JANSF2N2369A |
| Référence EBEE | E83200799 |
| Boîtier | TO-18(TO-206AA) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 15V 360mW 20@100mA,1V NPN TO-18(TO-206AA) Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $384.2359 | $ 384.2359 |
| 200+ | $148.6944 | $ 29738.8800 |
| 500+ | $143.4688 | $ 71734.4000 |
| 1000+ | $140.8871 | $ 140887.1000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | MICROCHIP JANSF2N2369A | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | - | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 360mW | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 400nA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 15V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 20@100mA,1V | |
| Fréquence de transition (fT) | - | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 450mV@100mA,10mA | |
| Type de transistor | NPN |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $384.2359 | $ 384.2359 |
| 200+ | $148.6944 | $ 29738.8800 |
| 500+ | $143.4688 | $ 71734.4000 |
| 1000+ | $140.8871 | $ 140887.1000 |
