| Fabricant | |
| Référence Fabricant | JANSD2N3637L |
| Référence EBEE | E86212148 |
| Boîtier | TO-5AA |
| Numéro Client | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 175V 1W 100@50mA,10V 1A PNP TO-5AA Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $394.4201 | $ 394.4201 |
| 200+ | $157.3770 | $ 31475.4000 |
| 500+ | $152.1179 | $ 76058.9500 |
| 1000+ | $149.5197 | $ 149519.7000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 1A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 1W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 10uA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 175V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 100@50mA,10V | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 600mV@5mA,50mA | |
| Type de transistor | PNP |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $394.4201 | $ 394.4201 |
| 200+ | $157.3770 | $ 31475.4000 |
| 500+ | $152.1179 | $ 76058.9500 |
| 1000+ | $149.5197 | $ 149519.7000 |
