| Fabricant | |
| Référence Fabricant | JANSD2N3440 |
| Référence EBEE | E85658753 |
| Boîtier | TO-39(TO-205AD) |
| Numéro Client | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 250V 800mW 40@20mA,10V 1A NPN TO-39(TO-205AD) Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $711.3802 | $ 711.3802 |
| 200+ | $283.8456 | $ 56769.1200 |
| 500+ | $274.3608 | $ 137180.4000 |
| 1000+ | $269.6749 | $ 269674.9000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+200℃ | |
| Courant du collecteur (Ic) | 1A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 800mW | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 2uA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 250V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 40@20mA,10V | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 500mV@4mA,50mA | |
| Type de transistor | NPN |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $711.3802 | $ 711.3802 |
| 200+ | $283.8456 | $ 56769.1200 |
| 500+ | $274.3608 | $ 137180.4000 |
| 1000+ | $269.6749 | $ 269674.9000 |
