| Fabricant | |
| Référence Fabricant | JANS2N918 |
| Référence EBEE | E83201447 |
| Boîtier | TO-72 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 15V 200mW 20@3mA,1V 50mA NPN TO-72 Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $488.2116 | $ 488.2116 |
| 200+ | $188.9312 | $ 37786.2400 |
| 500+ | $182.2913 | $ 91145.6500 |
| 1000+ | $179.0104 | $ 179010.4000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | MICROCHIP JANS2N918 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 50mA | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 200mW | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 1uA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 15V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 20@3mA,1V | |
| Fréquence de transition (fT) | - | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 400mV@10mA,1mA | |
| Type de transistor | NPN |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $488.2116 | $ 488.2116 |
| 200+ | $188.9312 | $ 37786.2400 |
| 500+ | $182.2913 | $ 91145.6500 |
| 1000+ | $179.0104 | $ 179010.4000 |
