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Microchip Tech JANS2N6989
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | JANS2N6989 |
| Référence EBEE | E83200700 |
| Boîtier | DIP-14 |
| Numéro Client | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 50V 1.5W 100@150mA,10V 800mA NPN DIP-14 Bipolar (BJT) ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $550.9549 | $ 550.9549 |
| 200+ | $213.2123 | $ 42642.4600 |
| 500+ | $205.7189 | $ 102859.4500 |
| 1000+ | $202.0175 | $ 202017.5000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Bipolar Transistor Arrays | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 800mA | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 1.5W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 10uA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 50V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 100@150mA,10V | |
| Fréquence de transition (fT) | - | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 1V@500mA,50mA | |
| Type de transistor | NPN |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $550.9549 | $ 550.9549 |
| 200+ | $213.2123 | $ 42642.4600 |
| 500+ | $205.7189 | $ 102859.4500 |
| 1000+ | $202.0175 | $ 202017.5000 |
