| Fabricant | |
| Référence Fabricant | JANS2N5666 |
| Référence EBEE | E83201391 |
| Boîtier | TO-5 |
| Numéro Client | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 200V 1.2W 40@1A,5V 5A NPN TO-5 Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $316.2989 | $ 316.2989 |
| 200+ | $122.4047 | $ 24480.9400 |
| 500+ | $118.1018 | $ 59050.9000 |
| 1000+ | $115.9760 | $ 115976.0000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 5A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 1.2W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 200nA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 200V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 40@1A,5V | |
| Fréquence de transition (fT) | - | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 1V@5A,1A | |
| Type de transistor | NPN |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $316.2989 | $ 316.2989 |
| 200+ | $122.4047 | $ 24480.9400 |
| 500+ | $118.1018 | $ 59050.9000 |
| 1000+ | $115.9760 | $ 115976.0000 |
