| Fabricant | |
| Référence Fabricant | JANS2N5339 |
| Référence EBEE | E83201255 |
| Boîtier | TO-39(TO-205AD) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 100V 1W 60@2A,2V NPN TO-39(TO-205AD) Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $635.3640 | $ 635.3640 |
| 200+ | $245.8776 | $ 49175.5200 |
| 500+ | $237.2361 | $ 118618.0500 |
| 1000+ | $232.9669 | $ 232966.9000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | MICROCHIP JANS2N5339 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | - | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 1W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 100uA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 100V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 60@2A,2V | |
| Fréquence de transition (fT) | - | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 1.2V@5A,500mA | |
| Type de transistor | NPN |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $635.3640 | $ 635.3640 |
| 200+ | $245.8776 | $ 49175.5200 |
| 500+ | $237.2361 | $ 118618.0500 |
| 1000+ | $232.9669 | $ 232966.9000 |
