| Fabricant | |
| Référence Fabricant | JANS2N3867S |
| Référence EBEE | E83201249 |
| Boîtier | TO-39(TO-205AD) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 40V 1W [email protected],2V 3mA PNP TO-39(TO-205AD) Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $561.4062 | $ 561.4062 |
| 200+ | $217.2580 | $ 43451.6000 |
| 500+ | $209.6227 | $ 104811.3500 |
| 1000+ | $205.8502 | $ 205850.2000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | MICROCHIP JANS2N3867S | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 3mA | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 1W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 100uA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 40V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | [email protected],2V | |
| Fréquence de transition (fT) | - | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | [email protected],250mA | |
| Type de transistor | PNP |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $561.4062 | $ 561.4062 |
| 200+ | $217.2580 | $ 43451.6000 |
| 500+ | $209.6227 | $ 104811.3500 |
| 1000+ | $205.8502 | $ 205850.2000 |
