| Fabricant | |
| Référence Fabricant | JANS2N3737 |
| Référence EBEE | E83201324 |
| Boîtier | TO-46-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 40V 500mW 40@500mA,1V 1.5A NPN TO-46-3 Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $273.2124 | $ 273.2124 |
| 200+ | $105.7305 | $ 21146.1000 |
| 500+ | $102.0149 | $ 51007.4500 |
| 1000+ | $100.1783 | $ 100178.3000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | MICROCHIP JANS2N3737 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 1.5A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 500mW | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 200nA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 40V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 40@500mA,1V | |
| Fréquence de transition (fT) | - | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 900mV@1A,100mA | |
| Type de transistor | NPN |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $273.2124 | $ 273.2124 |
| 200+ | $105.7305 | $ 21146.1000 |
| 500+ | $102.0149 | $ 51007.4500 |
| 1000+ | $100.1783 | $ 100178.3000 |
