| Fabricant | |
| Référence Fabricant | JANS2N3501L |
| Référence EBEE | E83201368 |
| Boîtier | TO-5 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 150V 1W 100@150mA,10V 300mA NPN TO-5 Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $192.6965 | $ 192.6965 |
| 200+ | $74.5718 | $ 14914.3600 |
| 500+ | $71.9509 | $ 35975.4500 |
| 1000+ | $70.6555 | $ 70655.5000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | MICROCHIP JANS2N3501L | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 300mA | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 1W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 10uA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 150V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 100@150mA,10V | |
| Fréquence de transition (fT) | - | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 400mV@150mA,15mA | |
| Type de transistor | NPN |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $192.6965 | $ 192.6965 |
| 200+ | $74.5718 | $ 14914.3600 |
| 500+ | $71.9509 | $ 35975.4500 |
| 1000+ | $70.6555 | $ 70655.5000 |
