| Fabricant | |
| Référence Fabricant | JANS2N3057A |
| Référence EBEE | E83201329 |
| Boîtier | TO-46(TO-206AB) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 80V 500mW 50@500mA,10V 1A NPN TO-46(TO-206AB) Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $237.5733 | $ 237.5733 |
| 200+ | $91.9379 | $ 18387.5800 |
| 500+ | $88.7067 | $ 44353.3500 |
| 1000+ | $87.1116 | $ 87111.6000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | MICROCHIP JANS2N3057A | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 1A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 500mW | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 10nA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 80V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 50@500mA,10V | |
| Fréquence de transition (fT) | - | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 500mV@500mA,50mA | |
| Type de transistor | NPN |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $237.5733 | $ 237.5733 |
| 200+ | $91.9379 | $ 18387.5800 |
| 500+ | $88.7067 | $ 44353.3500 |
| 1000+ | $87.1116 | $ 87111.6000 |
