| Fabricant | |
| Référence Fabricant | JANS2N2904A |
| Référence EBEE | E83201269 |
| Boîtier | TO-39(TO-205AD) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 60V 800mW 40@150mA,10V PNP TO-39(TO-205AD) Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $208.1924 | $ 208.1924 |
| 200+ | $80.5692 | $ 16113.8400 |
| 500+ | $77.7372 | $ 38868.6000 |
| 1000+ | $76.3372 | $ 76337.2000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | MICROCHIP JANS2N2904A | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | - | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 800mW | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 1uA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 60V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 40@150mA,10V | |
| Fréquence de transition (fT) | - | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 1.6V@500mA,50mA | |
| Type de transistor | PNP |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $208.1924 | $ 208.1924 |
| 200+ | $80.5692 | $ 16113.8400 |
| 500+ | $77.7372 | $ 38868.6000 |
| 1000+ | $76.3372 | $ 76337.2000 |
