| Fabricant | |
| Référence Fabricant | JANKCB2N5415 |
| Référence EBEE | E83201397 |
| Boîtier | TO-5 |
| Numéro Client | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 200V 750mW 30@50mA,10V 1A PNP TO-5 Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $363.4859 | $ 363.4859 |
| 200+ | $140.6652 | $ 28133.0400 |
| 500+ | $135.7217 | $ 67860.8500 |
| 1000+ | $133.2783 | $ 133278.3000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 1A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 750mW | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 1mA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 200V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 30@50mA,10V | |
| Fréquence de transition (fT) | - | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 2V@50mA,5mA | |
| Type de transistor | PNP |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $363.4859 | $ 363.4859 |
| 200+ | $140.6652 | $ 28133.0400 |
| 500+ | $135.7217 | $ 67860.8500 |
| 1000+ | $133.2783 | $ 133278.3000 |
