| Fabricant | |
| Référence Fabricant | JANKCB2N5004 |
| Référence EBEE | E83198486 |
| Boîtier | Die |
| Numéro Client | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 80V 2W [email protected],5V NPN Die Bipolar (BJT) ROHS |
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $290.8378 | $ 290.8378 |
| 200+ | $112.5513 | $ 22510.2600 |
| 500+ | $108.5962 | $ 54298.1000 |
| 1000+ | $106.6408 | $ 106640.8000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | - | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 2W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 50uA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 80V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | [email protected],5V | |
| Fréquence de transition (fT) | - | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 1.5V@5A,500mA | |
| Type de transistor | NPN |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $290.8378 | $ 290.8378 |
| 200+ | $112.5513 | $ 22510.2600 |
| 500+ | $108.5962 | $ 54298.1000 |
| 1000+ | $106.6408 | $ 106640.8000 |
