| Fabricant | |
| Référence Fabricant | JAN2N6338 |
| Référence EBEE | E83201151 |
| Boîtier | TO-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 100V 200W 30@10A,2V NPN TO-3 Bipolar (BJT) ROHS |
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $300.7124 | $ 300.7124 |
| 200+ | $116.3717 | $ 23274.3400 |
| 500+ | $112.2835 | $ 56141.7500 |
| 1000+ | $110.2623 | $ 110262.3000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | MICROCHIP JAN2N6338 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | - | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 200W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 50uA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 100V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 30@10A,2V | |
| Fréquence de transition (fT) | - | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 1.8V@25A,2.5A | |
| Type de transistor | NPN |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $300.7124 | $ 300.7124 |
| 200+ | $116.3717 | $ 23274.3400 |
| 500+ | $112.2835 | $ 56141.7500 |
| 1000+ | $110.2623 | $ 110262.3000 |
