| Fabricant | |
| Référence Fabricant | JAN2N5686 |
| Référence EBEE | E83201158 |
| Boîtier | TO-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 80V 300W 15@25A,2V NPN TO-3 Bipolar (BJT) ROHS |
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $534.0287 | $ 534.0287 |
| 200+ | $206.6629 | $ 41332.5800 |
| 500+ | $199.4002 | $ 99700.1000 |
| 1000+ | $195.8106 | $ 195810.6000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | MICROCHIP JAN2N5686 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | - | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 300W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 500uA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 80V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 15@25A,2V | |
| Fréquence de transition (fT) | - | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 5V@50A,10A | |
| Type de transistor | NPN |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $534.0287 | $ 534.0287 |
| 200+ | $206.6629 | $ 41332.5800 |
| 500+ | $199.4002 | $ 99700.1000 |
| 1000+ | $195.8106 | $ 195810.6000 |
