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Microchip Tech JAN2N3997
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | JAN2N3997 |
| Référence EBEE | E85658554 |
| Boîtier | TO-111 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 80V 2W 80@1A,2V 10A NPN TO-111 Bipolar (BJT) ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $380.2058 | $ 380.2058 |
| 200+ | $151.7049 | $ 30340.9800 |
| 500+ | $146.6357 | $ 73317.8500 |
| 1000+ | $144.1316 | $ 144131.6000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | MICROCHIP JAN2N3997 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 10A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 2W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 10uA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 80V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 80@1A,2V | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 2V@500mA,5A | |
| Type de transistor | NPN |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $380.2058 | $ 380.2058 |
| 200+ | $151.7049 | $ 30340.9800 |
| 500+ | $146.6357 | $ 73317.8500 |
| 1000+ | $144.1316 | $ 144131.6000 |
