| Fabricant | |
| Référence Fabricant | JAN2N3766 |
| Référence EBEE | E83201420 |
| Boîtier | TO-66(TO-213AA) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 60V 25W 40@500mA,5V NPN TO-66(TO-213AA) Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $75.3224 | $ 75.3224 |
| 200+ | $29.1502 | $ 5830.0400 |
| 500+ | $28.1246 | $ 14062.3000 |
| 1000+ | $27.6189 | $ 27618.9000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | MICROCHIP JAN2N3766 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | - | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 25W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 500uA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 60V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 40@500mA,5V | |
| Fréquence de transition (fT) | - | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 2.5V@1A,100mA | |
| Type de transistor | NPN |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $75.3224 | $ 75.3224 |
| 200+ | $29.1502 | $ 5830.0400 |
| 500+ | $28.1246 | $ 14062.3000 |
| 1000+ | $27.6189 | $ 27618.9000 |
