| Fabricant | |
| Référence Fabricant | JAN2N3636 |
| Référence EBEE | E86280442 |
| Boîtier | TO-39(TO-205AD) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 175V 1W 50@50mA,10V 1A PNP TO-39(TO-205AD) Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $31.2587 | $ 31.2587 |
| 200+ | $12.4736 | $ 2494.7200 |
| 500+ | $12.0553 | $ 6027.6500 |
| 1000+ | $11.8497 | $ 11849.7000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | MICROCHIP JAN2N3636 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 1A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 1W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 10uA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 175V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 50@50mA,10V | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 600mV@5mA,50mA | |
| Type de transistor | PNP |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $31.2587 | $ 31.2587 |
| 200+ | $12.4736 | $ 2494.7200 |
| 500+ | $12.0553 | $ 6027.6500 |
| 1000+ | $11.8497 | $ 11849.7000 |
