| Fabricant | |
| Référence Fabricant | JAN2N3439 |
| Référence EBEE | E86884022 |
| Boîtier | TO-39(TO-205AD) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 350V 800mW 40@20mA,10V 1A NPN TO-39(TO-205AD) Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $42.3038 | $ 42.3038 |
| 200+ | $16.8794 | $ 3375.8800 |
| 500+ | $16.3164 | $ 8158.2000 |
| 1000+ | $16.0376 | $ 16037.6000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | MICROCHIP JAN2N3439 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 1A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 800mW | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 2uA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 350V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 40@20mA,10V | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 500mV@4mA,50mA | |
| Type de transistor | NPN |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $42.3038 | $ 42.3038 |
| 200+ | $16.8794 | $ 3375.8800 |
| 500+ | $16.3164 | $ 8158.2000 |
| 1000+ | $16.0376 | $ 16037.6000 |
