Recommonended For You
Les images sont à titre indicatif uniquement
Ajouter aux favoris
Microchip Tech JAN2N3019S
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | JAN2N3019S |
| Référence EBEE | E87211506 |
| Boîtier | TO-39 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 80V 800mW 50@500mA,10V 1A NPN TO-39 Bipolar (BJT) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>En stock : Veuillez vous renseigner
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $47.4228 | $ 47.4228 |
| 200+ | $18.9224 | $ 3784.4800 |
| 500+ | $18.2898 | $ 9144.9000 |
| 1000+ | $17.9778 | $ 17977.8000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | MICROCHIP JAN2N3019S | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 1A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 800mW | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 10uA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 80V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 50@500mA,10V | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 500mV@50mA,500mA | |
| Type de transistor | NPN |
Guide d’achat
Développer
En stock : Veuillez vous renseigner
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $47.4228 | $ 47.4228 |
| 200+ | $18.9224 | $ 3784.4800 |
| 500+ | $18.2898 | $ 9144.9000 |
| 1000+ | $17.9778 | $ 17977.8000 |
