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Microchip Tech JAN2N1481
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | JAN2N1481 |
| Référence EBEE | E83201386 |
| Boîtier | TO-5 |
| Numéro Client | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 40V 1W 35@200mA,4V 1.5A NPN TO-5 Bipolar (BJT) ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $390.2531 | $ 390.2531 |
| 200+ | $151.0225 | $ 30204.5000 |
| 500+ | $145.7152 | $ 72857.6000 |
| 1000+ | $143.0927 | $ 143092.7000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 1.5A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 1W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 5uA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 40V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 35@200mA,4V | |
| Fréquence de transition (fT) | - | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 750mV@200mA,10mA | |
| Type de transistor | NPN |
Guide d’achat
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $390.2531 | $ 390.2531 |
| 200+ | $151.0225 | $ 30204.5000 |
| 500+ | $145.7152 | $ 72857.6000 |
| 1000+ | $143.0927 | $ 143092.7000 |
