| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2N7368 |
| Référence EBEE | E86667708 |
| Boîtier | TO-254AA |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 80V 115W 50@1A,2V 10A NPN TO-254AA Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $857.1947 | $ 857.1947 |
| 200+ | $342.0274 | $ 68405.4800 |
| 500+ | $330.5980 | $ 165299.0000 |
| 1000+ | $324.9511 | $ 324951.1000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | MICROCHIP 2N7368 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 10A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 115W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 1mA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 80V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 50@1A,2V | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 1V@500mA,5A | |
| Type de transistor | NPN |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $857.1947 | $ 857.1947 |
| 200+ | $342.0274 | $ 68405.4800 |
| 500+ | $330.5980 | $ 165299.0000 |
| 1000+ | $324.9511 | $ 324951.1000 |
