| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2N6341 |
| Référence EBEE | E83201148 |
| Boîtier | TO-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 150V 200W 30@10A,2V NPN TO-3 Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $199.8669 | $ 199.8669 |
| 200+ | $77.3469 | $ 15469.3800 |
| 500+ | $74.6286 | $ 37314.3000 |
| 1000+ | $73.2852 | $ 73285.2000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | MICROCHIP 2N6341 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+175℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | - | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 200W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 50uA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 150V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 30@10A,2V | |
| Fréquence de transition (fT) | - | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 1.8V@25A,2.5A | |
| Type de transistor | NPN |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $199.8669 | $ 199.8669 |
| 200+ | $77.3469 | $ 15469.3800 |
| 500+ | $74.6286 | $ 37314.3000 |
| 1000+ | $73.2852 | $ 73285.2000 |
