| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2N6331 |
| Référence EBEE | E83201176 |
| Boîtier | TO-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 100V 200W 30A PNP TO-3 Bipolar (BJT) ROHS |
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $370.5960 | $ 370.5960 |
| 200+ | $143.4156 | $ 28683.1200 |
| 500+ | $138.3763 | $ 69188.1500 |
| 1000+ | $135.8849 | $ 135884.9000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | MICROCHIP 2N6331 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | - | |
| Courant du collecteur (Ic) | 30A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 200W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | - | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 100V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | - | |
| Fréquence de transition (fT) | - | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | - | |
| Type de transistor | PNP |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $370.5960 | $ 370.5960 |
| 200+ | $143.4156 | $ 28683.1200 |
| 500+ | $138.3763 | $ 69188.1500 |
| 1000+ | $135.8849 | $ 135884.9000 |
