| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2N6327 |
| Référence EBEE | E83201114 |
| Boîtier | TO-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 80V 200W 30A PNP TO-3 Bipolar (BJT) ROHS |
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1,242.6424 | $ 1242.6424 |
| 200+ | $480.8868 | $ 96177.3600 |
| 500+ | $463.9872 | $ 231993.6000 |
| 1000+ | $455.6368 | $ 455636.8000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | MICROCHIP 2N6327 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | - | |
| Courant du collecteur (Ic) | 30A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 200W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | - | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 80V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | - | |
| Fréquence de transition (fT) | - | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | - | |
| Type de transistor | PNP |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1,242.6424 | $ 1242.6424 |
| 200+ | $480.8868 | $ 96177.3600 |
| 500+ | $463.9872 | $ 231993.6000 |
| 1000+ | $455.6368 | $ 455636.8000 |
