| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2N6324 |
| Référence EBEE | E83201402 |
| Boîtier | TO-63 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 200V 350W 30A PNP TO-63 Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2,236.7563 | $ 2236.7563 |
| 200+ | $865.5964 | $ 173119.2800 |
| 500+ | $835.1758 | $ 417587.9000 |
| 1000+ | $820.1447 | $ 820144.7000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | MICROCHIP 2N6324 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | - | |
| Courant du collecteur (Ic) | 30A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 350W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | - | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 200V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | - | |
| Fréquence de transition (fT) | - | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | - | |
| Type de transistor | PNP |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2,236.7563 | $ 2236.7563 |
| 200+ | $865.5964 | $ 173119.2800 |
| 500+ | $835.1758 | $ 417587.9000 |
| 1000+ | $820.1447 | $ 820144.7000 |
