| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2N5682E3 |
| Référence EBEE | E83201335 |
| Boîtier | TO-5 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 120V 1W 40@250mA,2V NPN TO-5 Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $61.8031 | $ 61.8031 |
| 200+ | $23.9175 | $ 4783.5000 |
| 500+ | $23.0764 | $ 11538.2000 |
| 1000+ | $22.6611 | $ 22661.1000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | MICROCHIP 2N5682E3 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | - | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 1W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 10uA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 120V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 40@250mA,2V | |
| Fréquence de transition (fT) | 30MHz | |
| Type de transistor | NPN |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $61.8031 | $ 61.8031 |
| 200+ | $23.9175 | $ 4783.5000 |
| 500+ | $23.0764 | $ 11538.2000 |
| 1000+ | $22.6611 | $ 22661.1000 |
