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Microchip Tech 2N5666U3
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2N5666U3 |
| Référence EBEE | E83202190 |
| Boîtier | U-3(TO-276AA) |
| Numéro Client | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 200V 1.2W 40@1A,5V 5A NPN U-3(TO-276AA) Bipolar (BJT) ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $484.3238 | $ 484.3238 |
| 200+ | $187.4283 | $ 37485.6600 |
| 500+ | $180.8416 | $ 90420.8000 |
| 1000+ | $177.5855 | $ 177585.5000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 5A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 1.2W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 200nA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 200V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 40@1A,5V | |
| Fréquence de transition (fT) | - | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 1V@5A,1A | |
| Type de transistor | NPN |
Guide d’achat
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $484.3238 | $ 484.3238 |
| 200+ | $187.4283 | $ 37485.6600 |
| 500+ | $180.8416 | $ 90420.8000 |
| 1000+ | $177.5855 | $ 177585.5000 |
