| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2N5416U4 |
| Référence EBEE | E83202204 |
| Boîtier | SMD-3P |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 300V 1W 30@50mA,10V 1A PNP SMD-3P Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $431.0913 | $ 431.0913 |
| 200+ | $166.8273 | $ 33365.4600 |
| 500+ | $160.9646 | $ 80482.3000 |
| 1000+ | $158.0669 | $ 158066.9000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | MICROCHIP 2N5416U4 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 1A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 1W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 50uA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 300V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 30@50mA,10V | |
| Fréquence de transition (fT) | - | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 2V@50mA,5mA | |
| Type de transistor | PNP |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $431.0913 | $ 431.0913 |
| 200+ | $166.8273 | $ 33365.4600 |
| 500+ | $160.9646 | $ 80482.3000 |
| 1000+ | $158.0669 | $ 158066.9000 |
