| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2N5416S |
| Référence EBEE | E83201228 |
| Boîtier | TO-39(TO-205AD) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 300V 750mW 30@50mA,10V PNP TO-39(TO-205AD) Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $89.7856 | $ 89.7856 |
| 200+ | $34.7467 | $ 6949.3400 |
| 500+ | $33.5260 | $ 16763.0000 |
| 1000+ | $32.9225 | $ 32922.5000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | MICROCHIP 2N5416S | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | - | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 750mW | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 50uA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 300V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 30@50mA,10V | |
| Fréquence de transition (fT) | - | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 2V@50mA,5mA | |
| Type de transistor | PNP |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $89.7856 | $ 89.7856 |
| 200+ | $34.7467 | $ 6949.3400 |
| 500+ | $33.5260 | $ 16763.0000 |
| 1000+ | $32.9225 | $ 32922.5000 |
