| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2N5157 |
| Référence EBEE | E83201172 |
| Boîtier | TO-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 500V 5W 30@1A,5V NPN TO-3 Bipolar (BJT) ROHS |
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $154.5643 | $ 154.5643 |
| 200+ | $59.8156 | $ 11963.1200 |
| 500+ | $57.7130 | $ 28856.5000 |
| 1000+ | $56.6750 | $ 56675.0000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | MICROCHIP 2N5157 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | - | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 5W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 250uA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 500V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 30@1A,5V | |
| Fréquence de transition (fT) | - | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | [email protected],700mA | |
| Type de transistor | NPN |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $154.5643 | $ 154.5643 |
| 200+ | $59.8156 | $ 11963.1200 |
| 500+ | $57.7130 | $ 28856.5000 |
| 1000+ | $56.6750 | $ 56675.0000 |
