Recommonended For You
Les images sont à titre indicatif uniquement
Ajouter aux favoris
Microchip Tech 2N5011U4
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2N5011U4 |
| Référence EBEE | E85503574 |
| Boîtier | SMD-3P |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 600V 1W 30@25mA,10V 200mA NPN SMD-3P Bipolar (BJT) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>En stock : Veuillez vous renseigner
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $247.4761 | $ 247.4761 |
| 200+ | $98.7458 | $ 19749.1600 |
| 500+ | $95.4453 | $ 47722.6500 |
| 1000+ | $93.8142 | $ 93814.2000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | MICROCHIP 2N5011U4 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 200mA | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 1W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 10nA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 600V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 30@25mA,10V | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 1.5V@5mA,25mA | |
| Type de transistor | NPN |
Guide d’achat
Développer
En stock : Veuillez vous renseigner
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $247.4761 | $ 247.4761 |
| 200+ | $98.7458 | $ 19749.1600 |
| 500+ | $95.4453 | $ 47722.6500 |
| 1000+ | $93.8142 | $ 93814.2000 |
