| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2N5010S |
| Référence EBEE | E85487657 |
| Boîtier | TO-39(TO-205AD) |
| Numéro Client | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 500V 1W 30@25mA,10V 200mA NPN TO-39(TO-205AD) Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $57.7688 | $ 57.7688 |
| 200+ | $23.0511 | $ 4610.2200 |
| 500+ | $22.2808 | $ 11140.4000 |
| 1000+ | $21.8992 | $ 21899.2000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 200mA | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 1W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 10nA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 500V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 30@25mA,10V | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 1.4V@5mA,25mA | |
| Type de transistor | NPN |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $57.7688 | $ 57.7688 |
| 200+ | $23.0511 | $ 4610.2200 |
| 500+ | $22.2808 | $ 11140.4000 |
| 1000+ | $21.8992 | $ 21899.2000 |
